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晶振的重要性相當于人類的心臟。主板中晶振突然不工作了，著實讓人著急，晶振不起振通常有哪些原因呢？

1、物料參數(shù)選型錯誤

此問題出現(xiàn)較多體現(xiàn)在晶振的負載電容，為什么負載電容容易出差錯了？在無源晶振的使用中，外部通常需外接電容電阻等其它元器件，使得無源晶振能正常起振，供IC工作。此處，我們需要注意到的即為外部電容的單位也為PF，晶振的負載電容單位也為PF，當供應(yīng)商詢問負載電容多大，不懂的采購容易將兩者的參數(shù)混淆，這樣參數(shù)不匹配，自然會導(dǎo)致晶振無法正常起振，又或者頻率精度產(chǎn)生偏差，容易使得晶振性能時而穩(wěn)定時而停振！

2、內(nèi)部水晶片破裂或損壞

此問題多出現(xiàn)于圓柱晶振,49/S晶振，陶瓷插件晶振等。因此系列晶振無固定編帶，均采用透明袋包裝，容易在運輸過程中損壞、或者使用過程中跌落、撞擊等因素造成晶振內(nèi)部水晶片損壞，從而導(dǎo)致晶振不起振。

3、振蕩電路不匹配

影響振蕩電路的三個指標：頻率誤差、負性阻抗、激勵電平。 　　

頻率誤差太大，導(dǎo)致實際頻率偏移標稱頻率從而引起晶振不起振。這也是很多采購不明白，同樣頻率，同樣封裝的晶振竟會有不同的單價，因為晶振的精度越高，即代表產(chǎn)品性能越好。不要盲目追求晶振的價格，而忽略晶振的品質(zhì)！

解決辦法：選擇合適的PPM值的產(chǎn)品。

負性阻抗過大或過小都會導(dǎo)致晶振不起振。

解決辦法：負性阻抗過大，可以將晶振外接電容Cd和Cg的值調(diào)大來降低負性阻抗;負性阻抗太小，則可以將晶振外接電容Cd和Cg的值調(diào)小來增大負性阻抗。一般而言，負性阻抗值應(yīng)滿足不少于晶振標稱最大阻抗3-5倍。

激勵電平過大或過小也將會導(dǎo)致晶振不起振。

解決辦法：通過調(diào)整電路中的Rd的大小來調(diào)節(jié)振蕩電路對晶振輸出的激勵電平。一般而言，激勵電平越小越好，處理功耗低之外，還跟振蕩電路的穩(wěn)定性和晶振的使用壽命有關(guān)。

4、晶振內(nèi)部水晶片上附有雜質(zhì)或者塵埃等

晶振的制程之一是水晶片鍍電極，即在水晶片上鍍上一次層金或者銀電極，這要求在萬級無塵車間作業(yè)完成。如果空氣中的塵埃顆粒附在電極上，或者有金渣銀渣殘留在電極上，則也會導(dǎo)致晶振不起振。

5、晶振出現(xiàn)漏氣

晶振在制程過程中要求將內(nèi)部抽真空后充滿氮氣，如果出現(xiàn)壓封不良，導(dǎo)致晶振氣密性不好出現(xiàn)漏氣；或者晶振在焊接過程中因為剪腳等過程中產(chǎn)品的機械應(yīng)力導(dǎo)致晶振出現(xiàn)氣密性不良；均會導(dǎo)致晶振出現(xiàn)不起振的現(xiàn)象。

6、焊接時溫度過高或時間過長

晶振以32.768KHz直插型為例，要求使用178°C熔點的焊錫，晶振內(nèi)部的溫度超過150°C，會引起晶振特性的惡化或者不起振。焊接引腳時，280°C下5秒以內(nèi)或者260°C以下10秒以內(nèi)。不要在引腳的根部直接焊接，這樣也會導(dǎo)致晶振特性的惡化或者不起振。

7、儲存環(huán)境不當導(dǎo)致晶振電性能惡化

在高溫或者低溫或者高濕度等條件下長時間使用或者保存，會引起晶振的電性能惡化，可能導(dǎo)致不起振。

8、MCU質(zhì)量問題、軟件問題等

解決辦法：目前市場上面MCU散新貨、翻新貨、拆機貨、貼牌貨等魚龍混雜，如果沒有一定的行業(yè)經(jīng)驗或者選擇正規(guī)的供貨商，則極易買到非正品。這樣電路容易出現(xiàn)問題，導(dǎo)致振蕩電路不能工作。另外即便是正品MCU，如果燒錄程序出現(xiàn)問題，也可能導(dǎo)致晶振不能起振。

9、EMC問題

解決辦法：一般而言，金屬封裝的制品在抗電磁干擾上優(yōu)于陶瓷封裝制品，如果電路上EMC較大，則盡量選用金屬封裝制品。另外晶振下面不要走信號線，避免帶來干擾。